|
|
Основные результаты работ
- Развит обобщенный метод сильной связи для расчета электронной структуры сильно коррелированных электронных систем. Выполнен расчет для CuO2 слоя при разных концентрация допирования в антиферромагнитной и парамагнитной фазах, дающий хорошее согласие с экспериментами ARPES для недопированного Sr2CuO2Cl2 и появление зоны примесного типа на потолке валентной зоны.
- Предложена t-J-I модель, учитывающая два типа обменных взаимодействий в слое: антиферромагнитное J и ферромагнитное I. В рамках этой модели сравниваются магнитные механизмы спаривания в купратах (J) и рутенате Sr2RuO4 (I J). Показано, что вследствие сильных электронных корреляций в купратах имеет место синглетное спаривание d-типа, а в рутенате - триплетное p-типа. Различие в симметрии щели приводит к усилению Тc в купратах за счет ванховской сингулярности. Для рутената Тc мало, поскольку ванховская сингулярность сокращается для триплетного спаривания. В рамках этого же подхода построена микроскопическая модель сосуществования сверхпроводимости и ферромагнетизма в гибридном оксиде RuSr2GdCu2O8.
- Отработана технология получения массивных колец (внешний диаметр 10 см, внутренний - 8 см) из Bi-ВТСП керамик с критическим током 300 А/см при Т = 77 К, с использованием которых в настоящее время делается макет индукционного ОТКЗ.
- Методами СКВИД-магнитометрии исследованы магнитные свойства в трехслойных пленках Fe/Si при низких температурах. Установлены закономерности изменения магнитного порядка (ферромагнитный, антиферромагнитный) в зависимости от толщины полупроводниковой прослойки и температуры. Проведены измерения электропроводности пленок с различной толщиной кремния, показана взаимная корреляция магнитных и электрических свойств.
- Экспериментально исследовано влияние редкоземельных ионов самария на анизотропные свойства кристаллов гематита. Внедрение сотых долей атомного процента ионов самария индуцирует легкоосное магнитное состояние в изначально легкоплоскостном кристалле-Fe2O3:Ga. Также, в области существования легкоосного состояния, обнаружен переход в состояние с анизотропией типа "легкая плоскость", индуцируемый магнитным полем;
- Теоретически объяснен спин-переориентационный переход в кристалле -Fe2O3:Ga, Dy в случае, когда матрица - кристалл ионов железа - рассматривается в континуальном приближении, а примесные ионы диспрозия как квазиизинговские ионы. Установлено, что переход является результатом конкуренции анизотропии железной и редкоземельной подсистем;
- Разработан и сконструирован высокотемпературный криостат для вибрационного магнитометра.
| |
|