Институт Физики им.Л.В.Киренского
Победитель конкурса сайтов СО РАН - 2010
Яndex

www.yandex.ru
  Главная
  Офис
  Новости
  Службы
  Семинары
  Достижения
  Научные отчеты
  Лаборатории
  Направления
  Интеграция
  Разработки
  Ученый совет
  Советы по защитам
  Аспирантура
  Конференции
  Конкурсы, Гранты
  Публикации
  Препринты
  Издательство
  Библиотека
  Совет молодых учёных
  Студентам
  Виртлаб
  История
  Фоторепортажи
  Персоналии
  О  Киренском
  Ученики и соратники
  Мемориальный музей
  Бухг-рия, план. отдел
  Download
  Карта  сервера

Фундаментальная спектроскопия

В рамках проекта "Спектроскопия ионно-молекулярных кристаллов и жидкокристаллических систем" (проект 108-5(00)-П Д01) исследовались локализованные электромагнитные моды и спектр пропускания одномерного фотонного кристалла с дефектами решетки. Спектр дефектных мод и распределение поля в дефектных модах одномерного фотонного кристалла обладают рядом особенностей, которые обязаны, прежде всего, сильной анизотропии диэлектрической проницаемости и высокой чувствительности к внешним полям нематика, рассматриваемого в качестве структурного дефектного слоя.

Рис.1. Расчетная зависимость светопропускания фотонного кристалла с двумя ЖК слоями в качестве дефектов структуры от циклической частоты/ 3*1014 cек-1.
Общее число слоев - 87. Толщина слоя в матрице 1 мкм, толщина дефектного слоя 4,5 мкм. Дефектные слои 35, 53. Показатели преломления матрицы 2 (нечетные элементы) и 1.5 (четные элементы). Показатели преломления дефектного слоя 1.5 (штриховая линия) и 1.7 (сплошная линия).

Важно отметить, что существуют толщины слоев жидких кристаллов, при которых изменение ориентации оптической оси нематика приводит к качественным изменениям в спектре дефектных мод, возникают новые дефектные уровни, существенно меняется и степень локализации поля в дефектных модах. Показано также, что спектр пропускания фотонного кристалла с одним и двумя дефектами в решетке существенно перестраивается за счет переориентации оптической оси НЖК. Кроме того, в случае двух дефектов, установлено, что спектр пропускания фотонного кристалла можно качественно модифицировать изменяя расстояние между дефектными слоями в решетке. В практических приложениях такие структуры могут быть перспективны, например, при создании спектральных фильтров, поляризаторов с управляемыми характеристиками. Наконец отметим, что возможность управления степенью локализации электромагнитного поля вдоль направления распространения лазерного пучка представляется перспективной для управления эффективностью нелинейно-оптических взаимодействий.

  1. Ветров С.Я., Шабанов А.В. Локализованные электромагнитные моды и спектр пропускания одномерного фотонного кристалла с дефектами решетки. ЖЭТФ, 2001, 120, №11.

Лаборатория
молекулярной спектроскопии


© И н с т и т у т Ф и з и к и
им. Л. В. Киренского СО РАН 1998—2012 Для вопросов и предложений

Российская академия наук СО РАН TopList